Improved Performance and Operational Stability of Solution-Processed InGaSnO (IGTO) Thin Film Transistors by the Formation of Sn–O Complexes

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标题	Improved Performance and Operational Stability of Solution-Processed InGaSnO (IGTO) Thin Film Transistors by the Formation of Sn–O Complexes
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.0c01048
DOI	10.1021/acsaelm.0c01048 doi
求助人	rjq 在 2026-09-19 22:14:58 发布自湖北，悬赏 10 积分
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