Gate-Drain Distance Optimization in Multi-Layer AlGaN High Electron Mobility Transistors: A Finite Element Analysis

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标题	Gate-Drain Distance Optimization in Multi-Layer AlGaN High Electron Mobility Transistors: A Finite Element Analysis
网址	https://doi.org/10.29132/ijpas.1800457
DOI	10.29132/ijpas.1800457 doi
其它	期刊：International Journal of Pure and Applied Sciences 作者：Yasin Doğan; Osman Çiçek 出版日期：2025-12-29
求助人	culiucabbage 在 2026-03-15 22:20:53 发布自江苏，悬赏 10 积分
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