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 Well-suppressed interface states and improved transport properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with PEALD SiN gate dielectric 相关领域
光电子学
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期刊：Vacuum 作者：S. Zhang; Wei Ke; Y.C. Zhang; X. J. Chen; Shuling Huang; et al 出版日期：2021-06-17 |
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