Large spin Hall effect in 300 °C annealed BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB using oxide buffer/seed and interfacial layers on Si/SiO2 substrates

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标题	Large spin Hall effect in 300 °C annealed BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB using oxide buffer/seed and interfacial layers on Si/SiO2 substrates
网址	https://doi.org/10.1063/5.0320146
DOI	10.1063/5.0320146 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Pham Van Thuan; Ho Hoang Huy; Wentao Li; Shigeyuki Hirayama; Yushi Kato; Pham Nam Hai 出版日期：2026
求助人	孤独丹秋在 2026-05-06 11:39:33 发布自美国，悬赏 20 积分
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