Vertical Field-Effect Near-Infrared Phototransistor with High Responsivity and Detectivity Based on a Au Nanowire Porous Source and a Mixed PbSe-HfO2 Sensing Layer

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标题	Vertical Field-Effect Near-Infrared Phototransistor with High Responsivity and Detectivity Based on a Au Nanowire Porous Source and a Mixed PbSe-HfO2 Sensing Layer
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.5c11719
DOI	10.1021/acsami.5c11719 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Fawad Saeed; Rai Muhammad Dawood Sultan; Nasrud Din; Ibtissem Belaid; Ali Asghar; et al 出版日期：2025
求助人	科研椰子在 2026-03-26 16:26:57 发布自广东，悬赏 10 积分
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