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标题
High Performance Ga2O3 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on an AlN/Si Substrate
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DOI
10.1109/JEDS.2019.2915341 doi
求助人
积极的盼山 在 2026-03-19 21:36:36 发布自河南,悬赏 10 积分
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