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 Highly selective radical etching of Si 3 N 4 using NF 3 /O 2 /N 2 /H 2 mixtures on 3D multilayer stack transistor integration 相关领域
材料科学
堆栈（抽象数据类型）
光电子学
蚀刻（微加工）
晶体管
场效应晶体管
过程（计算）
硅
纳米技术
电子工程
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期刊： 作者：Xiao Shang; Tuo Xin; Zehuan Hei; Yang Liu; Xiaodong Li; et al 出版日期：2026-03-01 |
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