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标题
Physics-Informed Exponential Framework for Predicting Ge Incorporation during SiGe Selective Epitaxy in Nanoscale Trenches
网址
DOI
10.1021/acs.cgd.6c00419 doi
其它 期刊:Crystal Growth & Design
作者:Zhi-Gang Li; Guo-Bin Bai; H. Cui; W. Yao; Jian-Feng Gao; et al
出版日期:2026-07-13
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傻傻的沛容 在 2026-09-23 21:15:45 发布自四川,悬赏 10 积分
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