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 P-GaN-gate GaN power high-electron mobility transistors with Mg-acceptor Re-passivation realized by ammonia plasma treatment 相关领域
钝化
材料科学
光电子学
宽禁带半导体
晶体管
等离子体
接受者
氨
化学
纳米技术
电气工程
凝聚态物理
物理
图层（电子）
电压
工程类
有机化学
量子力学
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Zhaofeng Wang; Jin Li; Zhihong Liu; Xiaojin Chen; Mei Xu; et al 出版日期：2024-10-21 |
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