| 标题 |
 GaAs Based Edge Emitters at 626 nm, 725 nm and 1180 nm 相关领域
光电子学
材料科学
砷化镓
GSM演进的增强数据速率
计算机科学
电信
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| 其它 |
期刊：IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 作者：Felix Mauerhoff; Philipp Hildenstein; A. Maaßdorf; David Feise; Nils Werner; et al 出版日期：2024-07-19 |
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