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 AlN/GaN/InGaN interface engineering for high-efficiency InGaN-based red quantum wells grown on Si 相关领域
材料科学
光电子学
量子阱
量子效率
外延
发光二极管
二极管
量子
宽禁带半导体
再分配（选举）
限制
波长
分子束外延
拉伸应变
工作（物理）
工程物理
发光
格子（音乐）
应变工程
压力（语言学）
自发辐射
凝聚态物理
红灯
光致发光
纳米技术
超晶格
氮化镓
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Chenshu Liu; Jianxun Liu; Xiujian Sun; Yayu Dai; Jie Wu; et al 出版日期：2026-05-11 |
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(2025-6-4)
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