| 标题 |
 Comparison of the effects of Ar and H2 plasmas on the performance of homojunctioned amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors 相关领域
薄膜晶体管
材料科学
无定形固体
阈值电压
阈下摆动
光电子学
晶体管
等离子体
氢
铟
阈下传导
镓
氧化物薄膜晶体管
图层（电子）
电压
纳米技术
电气工程
化学
冶金
结晶学
有机化学
量子力学
物理
工程类
|
| 网址 | |
| DOI |
暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
|
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
DW
极限001
意肆
aaaa
aaa
lx
aajhajkahna
maxiaole
KWang
CR7
invisight
乐空思
xing_xing
碧海蓝天
Mic
初景
优雅的从安
fantasy22
v0id
皖公网安备34019202002308
