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 All-Oxide ITO/HZO/WO x Ferroelectric Tunnel Junctions with Oxygen-Engineered Interfaces for Highly Endurable Neuromorphic Computing 相关领域
神经形态工程学
材料科学
电导
堆栈（抽象数据类型）
电极
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电子工程
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Seungjoon Jeong; Huiseong Shin; Myeongjae Choi; Changwoo Han; Hyeonjung Park; et al 出版日期：2026-03-31 |
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