Vertically stacked gate-all-around Si nanowire transistors: Key Process Optimizations and Ring Oscillator Demonstration

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标题	Vertically stacked gate-all-around Si nanowire transistors: Key Process Optimizations and Ring Oscillator Demonstration
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8255107/8268301/08268511...
DOI	10.1109/iedm.2017.8268511 doi
其它	期刊：2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：H. Mertens; R. Ritzenthaler; V. Pena; G. Santoro; K. Kenis; et al 出版日期：2018-01-31
求助人	小凯很菜在 2026-04-29 16:44:00 发布自上海，悬赏 10 积分
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