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  Novel SiC Trench MOSFET with Improved Third-Quadrant Performance and Switching Speed 具有改进的第三象限性能和开关速度的新型SiC沟槽MOSFET
相关领域
材料科学
MOSFET
沟槽
光电子学
电气工程
电容
切换时间
二极管
栅氧化层
电极
电压
化学
纳米技术
晶体管
工程类
物理化学
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Yangjie Ou; Zhong Lan; Xiarong Hu; Dong Liu 出版日期：2024-02-08 |
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