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 N-polar GaN evolution on nominally on-axis c-plane sapphire by MOCVD part-I: Growth optimization 通过MOCVD在名义上轴c面蓝宝石上的N极GaN演化第一部分：生长优化
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期刊：Materials Science and Engineering B 作者：Krishna Yaddanapudi; Sabyasachi Saha; K. Muraleedharan; D. Banerjee 出版日期：2022-10-14 |
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