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Reliability Study of 1T1C FeRAM Arrays With Hf0.5Zr0.5O₂ Thickness Scaling
Hf0.5Zr 0.5 O₂厚度缩放的1T1C FeRAM阵列的可靠性研究
相关领域
铁电RAM 材料科学 缩放比例 电容器 电介质 电容 铁电性 晶体管 光电子学 可靠性（半导体） 随时间变化的栅氧化层击穿 介电强度 铪 随机存取存储器 击穿电压 非易失性存储器 电气工程 电压 栅极电介质 电极 计算机科学 功率（物理） 冶金 工程类 物理化学 几何学 化学 物理 量子力学 锆 数学 计算机硬件
网址
https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6245494/6423298/09810188.p...
AI链接 ieee.org ieee.org doaj.org fraunhofer.dedoi.org
DOI
10.1109/jeds.2022.3187101 doi
其它 期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society
作者：Jun Okuno; Takafumi Kunihiro; Kenta KONISHI; Yusuke Shuto; Fumitaka Sugaya; et al
出版日期：2022-01-01
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bvbbbbc 在 2025-12-10 20:38:55 发布自山东，悬赏 10 积分
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