| 标题 |
  Reliability Study of 1T1C FeRAM Arrays With Hf0.5Zr0.5O₂ Thickness Scaling Hf0.5Zr 0.5 O₂厚度缩放的1T1C FeRAM阵列的可靠性研究
相关领域
铁电RAM
材料科学
缩放比例
电容器
电介质
电容
铁电性
晶体管
光电子学
可靠性（半导体）
随时间变化的栅氧化层击穿
介电强度
铪
随机存取存储器
击穿电压
非易失性存储器
电气工程
电压
栅极电介质
电极
计算机科学
功率（物理）
冶金
工程类
物理化学
几何学
化学
物理
量子力学
锆
数学
计算机硬件
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Jun Okuno; Takafumi Kunihiro; Kenta KONISHI; Yusuke Shuto; Fumitaka Sugaya; et al 出版日期：2022-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
v0id
DW
Nole
xing_xing
cdercder
凌凌
YY
学术文献互助
舒适的如萱
aajhajkahna
OK
dde
潇洒的惋清
七听
刘龙
水煮电吹风
MchemG
2052669099
arniu2008
皖公网安备34019202002308
