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 FeFET-Based Logic-in-Memory Supporting SA-Free Write-Back and Fully Dynamic Access With Reduced Bitline Charging Activity and Recycled Bitline Charge 基于FeFET的存储器中逻辑，支持无SA回写和完全动态访问，具有减少的位线充电活动和回收的位线电荷
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期刊：IEEE Transactions on Circuits and Systems I Regular Papers 作者：Wenjun Tang; Mingyen Lee; Juejian Wu; Yixin Xu; Yao Yu; et al 出版日期：2023-03-07 |
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