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Suppression of P-I-N forward leakage current in tunnel field-effect transistor 隧道场效应晶体管P-I-N正向漏电流的抑制
相关领域
泄漏(经济)
晶体管
电气工程
二极管
电压
兴奋剂
光电子学
场效应晶体管
材料科学
工程类
经济
宏观经济学
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Syed Afzal Ahmad; Naushad Alam; Shameem Ahmad 出版日期:2023-07-27 |
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