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Compact drain current model of a double-gate raised buried oxide TFET for integrated circuit application
集成电路用双栅凸起掩埋氧化物TFET的紧凑漏极电流模型
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跨导 阈下传导 电流（流体） 晶体管 材料科学 场效应晶体管 隧道场效应晶体管 排水诱导屏障降低 光电子学 双闸门 航程（航空） 计算机科学 电气工程 电子工程 电压 MOSFET 工程类 复合材料
网址
https://doi.org/10.1007/s10825-023-02077-x
DOI
10.1007/s10825-023-02077-x doi
其它 期刊：Journal of Computational Electronics
作者：Sirisha Meriga; Brinda Bhowmick
出版日期：2023-07-24
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坚定的鼠标 在 2025-12-10 06:14:19 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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