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 Effect of indium content and carrier distribution on the efficiency and reliability of InGaN/GaN-based multi quantum well light emitting diode 相关领域
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Claudia Casu; Matteo Buffolo; Alessandro Caria; Carlo De Santi; Enrico Zanoni; et al 出版日期：2021-09-16 |
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