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First InGaAs/InAlAs Single-Photon Avalanche Diodes (SPADs) Hetero Integrated with Si Photonics on SOI Platform for 1550 nm Detection
首个在SOI平台上集成Si光子的InGaAs/InAlAs单光子雪崩二极管（SPADs）用于1550 nm探测
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光电子学 光子学 二极管 材料科学 光电探测器 砷化镓 光子 砷化铟镓 电场 雪崩二极管 光学 电气工程 物理 电压 击穿电压 工程类 量子力学
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其它 期刊：Symposium on VLSI Technology
作者：Jishen Zhang; Haiwen Xu; Gong Zhang; Yue Chen; Haibo Wang; et al
出版日期：2021-06-13
求助人
Wendy 在 2025-12-15 11:37:21 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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