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 Modeling of thermal residual stresses of crack free GaN epitaxial film grown on patterned silicon substrates 图案化硅衬底上无裂纹GaN外延膜热残余应力的模拟
相关领域
外延
硅
材料科学
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金属有机气相外延
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光电子学
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化学气相沉积
表面粗糙度
复合材料
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海洋学
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期刊： 作者：Zhaohui Chen; HanYan; Zhiyin Gan; Sheng Liu 出版日期：2009-05-01 |
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