| 标题 |
 Weak anti-localization effect in topological Ni3In2S2 single crystal 拓扑Ni3In2S2单晶中的弱反局域效应
相关领域
磁电阻
拓扑绝缘体
材料科学
弱局部化
Crystal（编程语言）
单晶
凝聚态物理
金属
结构精修
相（物质）
拓扑（电路）
晶体结构
结晶学
磁场
化学
物理
电气工程
冶金
计算机科学
量子力学
程序设计语言
有机化学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Materials Science Materials in Electronics 作者：Kapil Kumar; Yogesh Kumar; V. P. S. Awana 出版日期：2023-12-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Nole
渡人舟
刘厚麟
Criminology34
6666
GingerF
学术文献互助
无极微光
极限001
MA_JT
Ali
blackia
DIVINEDC
拆迁办禁言
Magali
mmyhn
秋风
无限凤妖
kento
滴滴答答
皖公网安备34019202002308
