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 A Back-Illuminated 10 μm-Pitch SPAD Depth Sensor with 42.5% PDE at 940 nm using an Optimized Doping Design 采用优化的掺杂设计的背照式10 μ m间距SPAD深度传感器，在940纳米处具有42.5% PDL
相关领域
兴奋剂
材料科学
光电子学
光学
计算机科学
物理
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| 其它 |
期刊： 作者：Shoichi Shimada; Y. Otake; J. Suzuki; Aoi Magori; K. Kurata; et al 出版日期：2025-06-08 |
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