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 Deterministic Shallow Dopant Implantation in Silicon with Detection Confidence Upper‐Bound to 99.85% by Ion–Solid Interactions 离子-固体相互作用在硅中的确定性浅掺杂注入，探测置信度上限为99.85%
相关领域
材料科学
掺杂剂
离子注入
硅
离子
上下界
纳米技术
光电子学
兴奋剂
有机化学
数学分析
化学
数学
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| 其它 |
期刊：Advanced Materials 作者：Alexander Jakob; Simon G. Robson; Vivien Schmitt; Vincent Mourik; M. Posselt; et al 出版日期：2021-10-11 |
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