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Band Alignment Engineering in β-Ga2O3/4H-SiC Polar Heterojunctions via Orientation Selection: Interfacial Band Edge States and Hole Trapping 相关领域
异质结
极地的
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期刊:Journal of Physical Chemistry Letters 作者:Jiaren Feng; Qingzhong Gui; Taiqiao Liu; Changshuai Yin; Fei Yang; et al 出版日期:2025-09-25 |
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