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 Oxygen annealing induced changes in defects within β-Ga2O3 epitaxial films measured using photoluminescence 用光致发光测量氧退火诱导β-Ga2O3外延膜中缺陷的变化
相关领域
光致发光
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期刊：Journal of Physics D 作者：Rujun Sun; Yu Kee Ooi; Praneeth Ranga; Arkka Bhattacharyya; Sriram Krishnamoorthy; et al 出版日期：2021-01-22 |
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