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 Comparison of deep levels in GaN grown by MBE, MOCVD, and HVPE MBE、MOCVD和HVPE生长GaN中深能级的比较
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期刊：Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE 作者：D. Johnstone; Sena Biyikli; S. Doğan; Y. T. Moon; Feng Yun; et al 出版日期：2005-03-07 |
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