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 High Mobility Normally-OFF Hydrogenated Diamond Field Effect Transistors With BaF₂ Gate Insulator Formed by Electron Beam Evaporator 电子束蒸发器形成BaF₂栅极绝缘体的高迁移率常关氢化金刚石场效应晶体管
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Qi He; Kai Su; Jinfeng Zhang; Zeyang Ren; Yufei Xing; et al 出版日期：2022-02-28 |
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