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 Barrier and channel thickness engineering to optimize fin height for enhancement mode Al0.3Ga0.7N/GaN FinHEMT 相关领域
材料科学
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期刊：International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields 作者：A. Chakrabarty; R. Swain; N. Sahoo; K. Jena; A. K. Panigrahy; T. R. Lenka 出版日期：2023-12-14 |
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