Conduction mechanism of TiN/HfOx/Pt resistive switching memory: A trap-assisted-tunneling model

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标题	Conduction mechanism of TiN/HfOx/Pt resistive switching memory: A trap-assisted-tunneling model TiN/HfOx/Pt电阻开关存储器的导电机制：陷阱辅助隧穿模型相关领域普尔-弗伦克尔效应锡量子隧道热传导电阻随机存取存储器存水弯（水管）材料科学堆栈（抽象数据类型）极性（国际关系）记忆电阻器凝聚态物理电介质电压光电子学电气工程化学物理计算机科学工程类气象学复合材料生物化学冶金程序设计语言细胞
网址	https://doi.org/10.1063/1.3624472
DOI	10.1063/1.3624472 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Shimeng Yu; Ximeng Guan; H.‐S. Philip Wong 出版日期：2011-08-08
求助人	风趣的芝麻在 2025-07-29 16:48:59 发布自日本，悬赏 10 积分
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