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 Conduction mechanism of TiN/HfOx/Pt resistive switching memory: A trap-assisted-tunneling model TiN/HfOx/Pt电阻开关存储器的导电机制：陷阱辅助隧穿模型
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Shimeng Yu; Ximeng Guan; H.‐S. Philip Wong 出版日期：2011-08-08 |
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