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![]() Ge对外延Mg2Sn1-x Ge x热电薄膜缺陷形成的影响
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Kenneth Magallon Senados; Mariana S. L. Lima; T. Aizawa; I. Ohkubo; Takahiro Baba; et al 出版日期:2023-12-05 |
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XuJJJJJ
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