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 High‐Performance N‐MoSe2/P‐GeSn/N‐Ge van der Waals Heterojunction Phototransistor for Short‐Wave Infrared Photodetection 用于短波红外光探测的高性能n-MoSe2/p-GeSn/n-Ge范德华异质结光电晶体管
相关领域
材料科学
响应度
光电子学
光探测
光电流
光电二极管
红外线的
异质结
比探测率
共发射极
范德瓦尔斯力
光电探测器
光学
物理
分子
量子力学
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期刊：Advanced Optical Materials 作者：Xiong Cai; Shuo Li; Jinhui Qian; Haokun Ding; Songsong Wu; et al 出版日期：2023-11-28 |
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