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标题
Performance enhancement for AlGaN/GaN HEMTs with dual discrete field-plate
双分立场板增强AlGaN/GaN HEMT的性能
相关领域
高电子迁移率晶体管 材料科学 击穿电压 光电子学 电场 氮化镓 电压 电气工程 物理 晶体管 工程类 纳米技术 图层(电子) 量子力学
网址
DOI
10.1016/j.sse.2022.108571 doi
其它 期刊:Solid-state Electronics
作者:Yun-Lu Zhou; Jian Qin; Zijing Xie; Hong Wang
出版日期:2023-02-01
求助人
开心的寄容 在 2025-07-02 21:36:03 发布自四川,悬赏 10 积分
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