An ion-gating synaptic memristor based on tri-layer HfOx composition regulation

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标题	An ion-gating synaptic memristor based on tri-layer HfOx composition regulation
网址	https://doi.org/10.1039/d4tc04564e
DOI	10.1039/d4tc04564e doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Lanqing Zou; Jun Zhang; Yunhui Yi; Jiawang Ren; Huajun Sun; et al 出版日期：2025-01-01
求助人	明明就在 2026-11-03 11:45:37 发布自中国，悬赏 10 积分
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