Strain Engineering of a Dual-Gate Structure for Highly Flexible and Transparent MoS2 Thin-Film Transistors with Graphene Electrodes

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标题	Strain Engineering of a Dual-Gate Structure for Highly Flexible and Transparent MoS2 Thin-Film Transistors with Graphene Electrodes
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.5c11691
DOI	10.1021/acsnano.5c11691 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Mingu Kang; Jeoungmin Ji; Seohak Park; Su-Bon Kim; Inseong Lee; et al 出版日期：2025-09-16
求助人	默存在 2026-10-29 16:55:29 发布自江苏，悬赏 10 积分
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