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A 800 V β‐Ga2O3 Metal–Oxide–Semiconductor Field‐Effect Transistor with High‐Power Figure of Merit of Over 86.3 MW cm−2 |
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期刊:physica status solidi (a) 作者:Zhaoqing Feng; Yuncong Cai; Guangshuo Yan; Zhuangzhuang Hu; Kui Dang; et al 出版日期:2019-08-22 |
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