Lowest I OFF −21 A/μm in capacitorless DRAM achieved by Reactive Ion Etch of IGZO-TFT

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标题	Lowest I OFF −21 A/μm in capacitorless DRAM achieved by Reactive Ion Etch of IGZO-TFT
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10185199/10185158/101853...
DOI	10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10185398 doi
其它	期刊：2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：A. Belmonte; S. Kundu; S. Subhechha; A. Chasin; N. Rassoul; et al 出版日期：2023-07-24
求助人	老实数据线在 2026-09-28 23:13:00 发布自安徽，悬赏 10 积分
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