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 Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation behavior in the Na-flux point seed technique 相关领域
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Ryu Sasaki; Masayuki Imanishi; Shogo Washida; Kosuke Murakami; Shigeyoshi Usami; et al 出版日期：2025-04-22 |
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