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 Study of a charge transition-driven resistive switching mechanism in TiO2-based random access memory via density functional theory 相关领域
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期刊：Nanoscale 作者：Tae-Young Jeong; In Won Yeu; Kun Hee Ye; Seungjae Yoon; Dohyun Kim; et al 出版日期：2024-01-01 |
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