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Vertical GaN Schottky barrier diodes with ohmic contact on N-polar by the atomic layer deposition of aluminum oxide interfacial layer
原子层沉积氧化铝界面层的N极欧姆接触垂直GaN肖特基势垒二极管
相关领域
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网址
http://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.161268
DOI
10.1016/j.apsusc.2024.161268 doi
其它 期刊：Applied Surface Science
作者：Yongkai Yang; Zhengweng Ma; Zhongwei Jiang; Bo Li; Linfei Gao; et al
出版日期：2024-09-19
求助人
Guoomeng 在 2025-12-06 10:42:33 发布自广西，悬赏 10 积分
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