| 标题 |
  Charge Trapping and Emission during Bias Temperature Stressing of Schottky Gate GaN-on-Silicon HEMT Structures Targeting RF/mm Wave Power Amplifiers 射频/毫米波功率放大器肖特基栅硅上GaN HEMT结构偏压温度应力期间的电荷俘获和发射
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期刊：Micromachines 作者：Barry O’Sullivan; Aarti Rathi; A. Alian; Sachin Yadav; Hao Yu; et al 出版日期：2024-07-24 |
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