| 标题 |
 High-temperature modeling of AlGaN/GaN HEMTs 相关领域
材料科学
宽禁带半导体
光电子学
饱和速度
晶体管
饱和（图论）
带隙
温度测量
热的
氮化镓
热稳定性
速度饱和
电气工程
电压
纳米技术
物理
热力学
MOSFET
工程类
图层（电子）
组合数学
量子力学
数学
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| DOI |
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10.1016/j.sse.2010.05.026
Doi
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| 其它 |
期刊：2009 International Semiconductor Device Research Symposium 作者：Stanislav Vitanov; Vassil Palankovski; Stephan Maroldt; Rudiger Quay 出版日期：2010-01-20 |
| 求助人 | |
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