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Source of two-dimensional electron gas in unintentionally doped AlGaN/GaN multichannel high-electron-mobility transistor heterostructures—Experimental evidence of the hole trap state 相关领域
高电子迁移率晶体管
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Ravikiran Lingaparthi; N. Dharmarasu; K. Radhakrishnan; Lili Huo 出版日期:2023-08-28 |
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