Development of β-Ga2O3 layers growth on sapphire substrates employing modeling of precursors ratio in halide vapor phase epitaxy reactor

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标题	Development of β-Ga2O3 layers growth on sapphire substrates employing modeling of precursors ratio in halide vapor phase epitaxy reactor
网址	https://www.nature.com/articles/s41598-020-79154-9.pdf
DOI	10.1038/s41598-020-79154-9 doi
其它	期刊：Scientific Reports 作者：Galia Pozina; Chih-Wei Hsu; Natalia Abrikossova; Mikhail A. Kaliteevski; Carl Hemmingsson 出版日期：2020-12-17
求助人	PAPA 在 2026-03-24 20:25:57 发布自浙江，悬赏 10 积分
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