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标题
Approach to High-Performance Indium Gallium Zinc Oxide Transistors by Thermal Atomic Layer Deposition
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DOI
10.1109/led.2025.3539304 doi
其它 期刊:IEEE Electron Device Letters
作者:Xingwei Ding; Luoqiang Wang; Kun Bai; Jun Yang; Jianhua Zhang
出版日期:2025-02-06
求助人
朴素羊 在 2026-05-18 20:40:50 发布自上海,悬赏 10 积分
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