Enhancement of positive bevel β-Ga2O3 trench MOS barrier Schottky diode by post-etching treatment

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标题	Enhancement of positive bevel β-Ga2O3 trench MOS barrier Schottky diode by post-etching treatment
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S016943322...
DOI	10.1016/j.apsusc.2024.161569 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Fang Zhang; Xue Feng Zheng; Ye Hong Li; Zi Jian Yuan; Shao Zhong Yue; et al 出版日期：2024-11-13
求助人	Chen_Sam 在 2026-05-27 16:02:10 发布自广东，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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