Hot-Carrier Injection-Induced Disturb and Improvement Methods in 3D NAND Flash Memory

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标题	Hot-Carrier Injection-Induced Disturb and Improvement Methods in 3D NAND Flash Memory
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8792345/8804625/08804652...
DOI	10.1109/vlsi-tsa.2019.8804652 doi
其它	期刊：2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA) 作者：Wei-Liang Lin; Wen-Jer Tsai; C.C. Cheng; Chun-Chang Lu; S.H. Ku; et al 出版日期：2019-08-23
求助人	研友_司徒怀亦在 2026-06-01 22:22:12 发布自湖北，悬赏 10 积分
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