| 标题 |
 Direct Evidence of Excessive Charge-Carrier-Induced Degradation in InP Quantum-Dot Light-Emitting Diodes InP量子点发光二极管中过量电荷载流子诱导退化的直接证据
相关领域
材料科学
量子点
光电子学
降级（电信）
二极管
发光二极管
载流子
电荷（物理）
电气工程
物理
量子力学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Hyungsuk Ryu; Doyoon Shin; Beomhee Yoon; Wan Ki Bae; Jeonghun Kwak; et al 出版日期：2024-12-23 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
yznfly
Sandy
LaTeXer
归尘
SYLH
pluto
眼睛大雨筠
Emma
眯眯眼的衬衫
Rondab
昏睡的蟠桃
热心市民小红花
GingerF
菠菜
lzx
寒江雪
ddd
eric888
besatified
Singularity
皖公网安备34019202002308
